|Aangeboden in rubriek:
Hebt u iets om te verkopen?

4H-Silicon Carbide MOSFET.New 9783639712483 Fast Free Shipping<|

Objectstaat:
Nieuw
5 beschikbaar
Verzendkosten:
Verzendt mogelijk niet naar Verenigde Staten. Lees de objectbeschrijving of neem contact op met de verkoper voor verzendopties. Details bekijkenvoor verzending
Bevindt zich in: South East, Verenigd Koninkrijk
Levering:
Varieert
Retourbeleid:
30 dagen om te retourneren. Koper betaalt voor retourzending. Details bekijken- voor meer informatie over retourzendingen
Betalingen:
     

Winkel met vertrouwen

Geld-terug-garantie van eBay
Ontvang het object dat u hebt besteld of krijg uw geld terug. 

Verkopergegevens

Ingeschreven als zakelijke verkoper
De verkoper neemt de volledige verantwoordelijkheid voor deze aanbieding.
eBay-objectnummer:126298973489

Specificaties

Objectstaat
Nieuw: Een nieuw, ongelezen en ongebruikt boek in perfecte staat waarin geen bladzijden ontbreken of ...
PublishedOn
2014-03-17
Title
4H-Silicon Carbide MOSFET
ISBN
9783639712483
Publication Year
2014
Type
Textbook
Format
Paperback
Language
English
Publication Name
4h-Silicon Carbide Mosfet
Item Height
229mm
Author
Gang Liu
Publisher
Scholars' Press
Item Width
152mm
Subject
Engineering & Technology
Item Weight
191g
Number of Pages
124 Pages

Over dit product

Product Information

Silicon carbide is the only wide band gap semiconductor that has a native oxide, and a leading candidate for development of next-generation, energy efficient, high power metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs). Progress in this technology has been limited by the semiconductor-dielectric interface structure and its effect on the inversion layer mobility. The major objective of this work is to study and improve 4H-SiC MOSFET interface structure, defect states and inversion layer mobility on the (11-20) crystal face of SiC (a-face), employing nitrogen and phosphorous passivation. We also use these results to explore the effect of reactive ion etching on the a-face, an important aspect of processing optimum power devices. We correlate electrical measurements, i.e. current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) with physical characterization including X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), atomic force microscopy (AFM), transmission electron microscopy (TEM), secondary ion mass spectrometry (SIMS) and medium energy ion scattering (MEIS).

Product Identifiers

Publisher
Scholars' Press
ISBN-13
9783639712483
eBay Product ID (ePID)
225909118

Product Key Features

Author
Gang Liu
Publication Name
4h-Silicon Carbide Mosfet
Format
Paperback
Language
English
Subject
Engineering & Technology
Publication Year
2014
Type
Textbook
Number of Pages
124 Pages

Dimensions

Item Height
229mm
Item Width
152mm
Item Weight
191g

Additional Product Features

Title_Author
Gang Liu

Objectbeschrijving van de verkoper

Informatie van zakelijke verkoper

WRAP Ltd.
Mubin Ahmed
Unit 4
119 Loverock Road
Reading
Berkshire
RG30 1DZ
United Kingdom
Contactgegevens weergeven
:noofeleT60358080080
:liam-Emoc.aidemtumahab@yabe
Btw-nummer:
  • GB 724498118
Handelsregistratienummer:
  • 03800600
Ik verklaar dat al mijn verkoopactiviteiten zullen voldoen aan alle wet- en regelgeving van de EU.
KVK-nummer:
  • 03800600
baham_books

baham_books

99,1% positieve feedback
8,9M objecten verkocht

Gedetailleerde verkopersbeoordelingen

Gemiddelde van de afgelopen 12 maanden

Nauwkeurige beschrijving
4.9
Redelijke verzendkosten
5.0
Verzendtijd
4.9
Communicatie
4.9
Ingeschreven als zakelijke verkoper

Feedback verkoper (2.898.243)

m***i (51)- Feedback gegeven door koper.
Afgelopen maand
Geverifieerde aankoop
Great
-***5 (49)- Feedback gegeven door koper.
Afgelopen maand
Geverifieerde aankoop
Thankyou
b***m (557)- Feedback gegeven door koper.
Afgelopen maand
Geverifieerde aankoop
Fast delivery.